IGBT 650V 210A 750W SOT227B (IXXN110N65C4H1)
Part Number: IXXN110N65C4H1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Серия: GenX4™, XPT™
- Состояние детали: Active
- Тип IGBT: PT
- Конфигурация: Single
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 650V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 210A
- Мощность: 750W
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 110A
- Обратный ток коллектора (Max): 50µA
- Входная емкость (Cies) @ Vce: 3.69nF @ 25V
- Input: Standard
- NTC Thermistor: No
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Корпус: SOT-227-4, miniBLOC
- Исполнение корпуса: SOT-227B
Цена по запросу