MOSFET N-CH (MMIX4G20N250)

Part Number: MMIX4G20N250


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип IGBT: -
  • Конфигурация: Full Bridge
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 2500V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic): 23A
  • Мощность: 100W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 20A
  • Обратный ток коллектора (Max): 10µA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce: -
  • Input: Standard
  • NTC Thermistor: No
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 24-SMD Module, 9 Leads
  • Исполнение корпуса: 24-SMPD

Цена по запросу