MOSFET N-CH (MMIX4G20N250)
Part Number: MMIX4G20N250
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип IGBT: -
- Конфигурация: Full Bridge
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 2500V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 23A
- Мощность: 100W
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 20A
- Обратный ток коллектора (Max): 10µA
- Входная емкость (Cies) @ Vce: -
- Input: Standard
- NTC Thermistor: No
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 24-SMD Module, 9 Leads
- Исполнение корпуса: 24-SMPD
Цена по запросу