MOSFET N-CH 60V 12A TO-251 (IXTU12N06T)
Part Number: IXTU12N06T
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: TrenchMV™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 6A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 25µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 3.4nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 256pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 33W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-251
- Корпус: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Цена по запросу