MOSFET N-CH 100V 170A TO-3P (IXTQ170N10P)
Part Number: IXTQ170N10P
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: Polar™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 500mA, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 198nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 6000pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 715W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-3P
- Корпус: TO-3P-3, SC-65-3
Цена по запросу