MOSFET P-CH 500V 10A TO-3P (IXTQ10P50P)

Part Number: IXTQ10P50P


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: PolarP™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: P-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 500V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2840pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 300W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: TO-3P
  • Корпус: TO-3P-3, SC-65-3

Цена по запросу