MOSFET N-CH 1000V 3A TO-220 (IXTP3N100P)
Part Number: IXTP3N100P
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: PolarVHV™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 1000V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 Ohm @ 1.5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 125W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-220AB
- Корпус: TO-220-3
Цена по запросу