MOSFET P-CH 600V 32A SOT227 (IXTN32P60P)

Part Number: IXTN32P60P


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: PolarP™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: P-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 1mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 196nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 11100pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 890W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Chassis Mount
  • Исполнение корпуса: SOT-227B
  • Корпус: SOT-227-4, miniBLOC

Цена по запросу