MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227 (IXTN30N100L)
Part Number: IXTN30N100L
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 1000V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 15A, 20V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 545nC @ 20V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 13700pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 800W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Исполнение корпуса: SOT-227B
- Корпус: SOT-227-4, miniBLOC
Цена по запросу