MOSFET N-CH (IXTL2N470)
Part Number: IXTL2N470
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 4700V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 1A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 6V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 6860pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 220W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: ISOPLUSi5-Pak™
- Корпус: ISOPLUSi5-Pak™
Цена по запросу