MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247 (IXTH10N100D)

Part Number: IXTH10N100D


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 1000V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2500pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: Depletion Mode
  • Рассеивание мощности (Макс): 400W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: TO-247 (IXTH)
  • Корпус: TO-247-3

Цена по запросу