MOSFET N-CH (IXTF6N200P3)
Part Number: IXTF6N200P3
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: Polar™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 2000V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 Ohm @ 3A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 143nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 3700pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 215W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: ISOPLUS i4-PAC™
- Корпус: ISOPLUSi5-Pak™
Цена по запросу