MOSFET N-CH 600V 3A D2-PAK (IXTA3N60P)
Part Number: IXTA3N60P
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: PolarHV™
- Состояние детали: Last Time Buy
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 Ohm @ 500mA, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5.5V @ 50µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 9.8nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 411pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 70W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: TO-263 (IXTA)
- Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Цена по запросу