MOSFET N-CH

MOSFET N-CH (IXTA260N055T2)

Part Number: IXTA260N055T2

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: -
  • Серия: TrenchT2™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 55V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 10800pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 480W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: TO-263
  • Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Цена по запросу