MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247 (IXFX26N100P)

Part Number: IXFX26N100P


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: HiPerFET™, PolarP2™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 1000V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 13A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 6.5V @ 1mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 197nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 11900pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 780W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: PLUS247™-3
  • Корпус: TO-247-3

Цена по запросу