MOSFET N-CH 100V 80A TO-268 (IXFT80N10Q)
Part Number: IXFT80N10Q
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: HiPerFET™
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 40A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 4mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 4500pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 360W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: TO-268
- Корпус: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Цена по запросу