MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 (IXFR32N100P)
Part Number: IXFR32N100P
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: HiPerFET™, PolarP2™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 1000V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340 mOhm @ 16A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 6.5V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 225nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 14200pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 320W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: ISOPLUS247™
- Корпус: ISOPLUS247™
Цена по запросу