MOSFET N-CH

MOSFET N-CH (IXFP34N65X2M)

Part Number: IXFP34N65X2M

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: -
  • Серия: HiPerFET™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 650V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 17A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 1.5mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 3230pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 40W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: TO-220 Isolated Tab
  • Корпус: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Цена по запросу