850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P (IXFN90N85X)

Part Number: IXFN90N85X


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Bulk
  • Серия: HiPerFET™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 850V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5.5V @ 8mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 340nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 13300pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 1200W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Chassis Mount
  • Исполнение корпуса: SOT-227B
  • Корпус: SOT-227-4, miniBLOC

Цена по запросу