POWER MOSFET TO-3 (IXFM35N30)

Part Number: IXFM35N30


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: -
  • Серия: HiPerFET™
  • Состояние детали: Last Time Buy
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 300V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 17.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 4mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 4800pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 300W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: TO-204AE
  • Корпус: TO-204AE

Цена по запросу