MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264 (IXFK32N100Q3)
Part Number: IXFK32N100Q3
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: HiPerFET™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 1000V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 16A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 6.5V @ 8mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 195nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 9940pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1250W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-264AA (IXFK)
- Корпус: TO-264-3, TO-264AA
Цена по запросу