MOSFET N-CH 100V 200A TO-264 (IXFK200N10P)

Part Number: IXFK200N10P


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Bulk
  • Серия: HiPerFET™, PolarP2™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 100A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 8mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 235nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 7600pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 830W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: TO-264AA (IXFK)
  • Корпус: TO-264-3, TO-264AA

Цена по запросу