MOSFET N-CH 1000V 6A TO-247AD (IXFH6N100Q)
Part Number: IXFH6N100Q
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: HiPerFET™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 1000V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 3A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.5V @ 2.5mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 48nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2200pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 180W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-247AD (IXFH)
- Корпус: TO-247-3
Цена по запросу