MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 (IXFH160N15T2)

Part Number: IXFH160N15T2


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 150V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 80A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.5V @ 1mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 253nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 15000pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 880W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: TO-247AD (IXFH)
  • Корпус: TO-247-3

Цена по запросу