MOSFET N-CH TO-264 (IXFB52N90P)
Part Number: IXFB52N90P
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: HiPerFET™, PolarP2™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 900V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 26A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 6.5V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 308nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 19000pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1250W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: PLUS264™
- Корпус: TO-264-3, TO-264AA
Цена по запросу