MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 (IXFA4N100Q)
Part Number: IXFA4N100Q
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube Alternate Packaging
- Серия: HiPerFET™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 1000V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 2A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1050pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 150W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: TO-263 (IXFA)
- Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Цена по запросу