MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK (IRFU9120N)

Part Number: IRFU9120N


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: HEXFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: P-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 3.9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 40W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: IPAK (TO-251)
  • Корпус: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Цена по запросу