MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC (IRF7811A)
Part Number: IRF7811A
Documents / Media: datasheets IRF7811A
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 28V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 11A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±12V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1760pF @ 15V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 2.5W (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 8-SO
- Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Цена по запросу