MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC (IRF7807D2)
Part Number: IRF7807D2
Documents / Media: datasheets IRF7807D2
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: FETKY™
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 17nC @ 5V
- Vgs (Max): ±12V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
- Особенности полевого транзистора: Schottky Diode (Isolated)
- Рассеивание мощности (Макс): 2.5W (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 8-SO
- Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Цена по запросу