MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC (IRF7353D1)
Part Number: IRF7353D1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: FETKY™
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5.8A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 650pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: Schottky Diode (Isolated)
- Рассеивание мощности (Макс): 2W (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 8-SO
- Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Цена по запросу