MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET (IRF6665TRPBF)
Part Number: IRF6665TRPBF
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 19A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 530pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: DIRECTFET™ SH
- Корпус: DirectFET™ Isometric SH
Цена по запросу