MOSFET N-CH 200V 96A HSOF-8 (IPT111N20NFDATMA1)

Part Number: IPT111N20NFDATMA1


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: OptiMOS™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 200V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1 mOhm @ 96A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 267µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 87nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 7000pF @ 100V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 375W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: PG-HSOF-8
  • Корпус: 8-PowerSFN

Цена по запросу