MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF (IPT007N06NATMA1)
Part Number: IPT007N06NATMA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: OptiMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75 mOhm @ 150A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.3V @ 280µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 287nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 16000pF @ 30V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 375W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PG-HSOF-8-1
- Корпус: 8-PowerSFN
357 р.