MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220 (IPP65R190CFDXKSA1)
Part Number: IPP65R190CFDXKSA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: CoolMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 650V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 7.3A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.5V @ 730µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 68nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1850pF @ 100V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 151W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: PG-TO-220-3
- Корпус: TO-220-3
Цена по запросу