MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3 (IPP200N15N3GXKSA1)
Part Number: IPP200N15N3GXKSA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: OptiMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 150V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 50A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 90µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1820pF @ 75V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 150W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: PG-TO-220-3
- Корпус: TO-220-3
110 р.