MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 (BSS169H6327XTSA1)
Part Number: BSS169H6327XTSA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: SIPMOS®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.8V @ 50µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 2.8nC @ 7V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 68pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: Depletion Mode
- Рассеивание мощности (Макс): 360mW (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: SOT-23-3
- Корпус: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
10 р.