MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223 (BSP320SH6327XTSA1)
Part Number: BSP320SH6327XTSA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: SIPMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.9A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 20µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 340pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1.8W (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PG-SOT223-4
- Корпус: TO-261-4, TO-261AA
21 р.