MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223 (BSP315PH6327XTSA1)
Part Number: BSP315PH6327XTSA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: SIPMOS®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 1.17A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2V @ 160µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 7.8nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 160pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1.8W (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PG-SOT223-4
- Корпус: TO-261-4, TO-261AA
23 р.