MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC (IRF7303TRPBF)
Part Number: IRF7303TRPBF
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Standard
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 4.9A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 520pF @ 25V
- Мощность: 2W
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Исполнение корпуса: 8-SO
24 р.