MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8 (IPG20N06S4L26ATMA1)
Part Number: IPG20N06S4L26ATMA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: OptiMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 20A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 17A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.2V @ 10µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1430pF @ 25V
- Мощность: 33W
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-PowerVDFN
- Исполнение корпуса: PG-TDSON-8-4
46 р.