MOSFET 2N-CH 8TDSON (IPG20N06S415ATMA1)
Part Number: IPG20N06S415ATMA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
- Состояние детали: Discontinued at Digi-Key
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Standard
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 20A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 17A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 20µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2260pF @ 25V
- Мощность: 50W
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-PowerVDFN
- Исполнение корпуса: PG-TDSON-8-4
Цена по запросу