IGBT MODULE VCES 1700V 800A (DD800S17H4B2BOSA2)

Part Number: DD800S17H4B2BOSA2


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: -
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Конфигурация диода: 2 Independent
  • Тип диода: Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr): 1700V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод): -
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 2.1V @ 800A
  • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr): -
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 900A @ 900V
  • Рабочая температура pn-прехода: -40°C ~ 150°C
  • Вид монтажа: Chassis Mount
  • Корпус: Module
  • Исполнение корпуса: Module

Цена по запросу