IGBT MODULE VCES 1700V 800A (DD800S17H4B2BOSA2)
Part Number: DD800S17H4B2BOSA2
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Конфигурация диода: 2 Independent
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 1700V
- Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод): -
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 2.1V @ 800A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): -
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 900A @ 900V
- Рабочая температура pn-прехода: -40°C ~ 150°C
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Корпус: Module
- Исполнение корпуса: Module
Цена по запросу