SILICON IGBT MODULES (GSID200A170S3B1)
Part Number: GSID200A170S3B1
Documents / Media: datasheets GSID200A170S3B1
Технические характеристики:
- Серия: Amp+™
- Состояние детали: Active
- Тип IGBT: -
- Конфигурация: 2 Independent
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 1200V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 400A
- Мощность: 1630W
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
- Обратный ток коллектора (Max): 1mA
- Входная емкость (Cies) @ Vce: 26nF @ 25V
- Input: Standard
- NTC Thermistor: No
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Корпус: D-3 Module
- Исполнение корпуса: D3
Цена по запросу