SILICON IGBT MODULES (GSID100A120T2C1A)
Part Number: GSID100A120T2C1A
Documents / Media: datasheets GSID100A120T2C1A
Технические характеристики:
- Серия: Amp+™
- Состояние детали: Active
- Тип IGBT: -
- Конфигурация: Three Phase Inverter
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 1200V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 200A
- Мощность: 800W
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
- Обратный ток коллектора (Max): 1mA
- Входная емкость (Cies) @ Vce: 13.7nF @ 25V
- Input: Three Phase Bridge Rectifier
- NTC Thermistor: Yes
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Корпус: Module
- Исполнение корпуса: Module
Цена по запросу