MOSFET N-CH 900V 4A TO220F (GP1M004A090FH)
Part Number: GP1M004A090FH
Documents / Media: datasheets GP1M004A090FH
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 900V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 2A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 955pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 38.7W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-220F
- Корпус: TO-220-3 Full Pack
Цена по запросу