TRANS SJT 600V 100A (GA50JT06-258)
Part Number: GA50JT06-258
Documents / Media: datasheets GA50JT06-258
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: -
- Технология: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): -
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 50A
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: -
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: -
- Vgs (Max): -
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 769W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 225°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-258
- Корпус: TO-258-3, TO-258AA
Цена по запросу