TRANS SJT 100V 9A (GA05JT01-46)
Part Number: GA05JT01-46
Documents / Media: datasheets GA05JT01-46
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: -
- Технология: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): -
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 5A
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: -
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: -
- Vgs (Max): -
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 20W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 225°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-46
- Корпус: TO-46-3
Цена по запросу