TRANS GAN 350V BUMPED DIE (EPC2050ENGRT)
Part Number: EPC2050ENGRT
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: eGaN®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: GaNFET (Gallium Nitride)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 350V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 6.3A
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 6A, 5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 4.3nC @ 5V
- Vgs (Max): +6V, -4V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 505pF @ 280V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): -
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: Die Outline (12-Solder Bar)
- Корпус: Die
Цена по запросу