TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE (EPC2015)
Part Number: EPC2015
Documents / Media: datasheets EPC2015
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: eGaN®
- Состояние детали: Discontinued at Digi-Key
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: GaNFET (Gallium Nitride)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 40V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 33A, 5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 9mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 11.6nC @ 5V
- Vgs (Max): +6V, -5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 20V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): -
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: Die Outline (11-Solder Bar)
- Корпус: Die
Цена по запросу