TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE (EPC2105ENG)
Part Number: EPC2105ENG
Documents / Media: datasheets EPC2105ENG
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk Alternate Packaging
- Серия: eGaN®
- Состояние детали: Discontinued at Digi-Key
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Half Bridge)
- Особенности полевого транзистора: GaNFET (Gallium Nitride)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 80V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 20A, 5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 2.5mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 300pF @ 40V
- Мощность: -
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: Die
- Исполнение корпуса: Die
Цена по запросу