TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE (EPC2104ENG)
Part Number: EPC2104ENG
Documents / Media: datasheets EPC2104ENG
Технические характеристики:
- Упаковка: Tray Alternate Packaging
- Серия: eGaN®
- Состояние детали: Discontinued at Digi-Key
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Half Bridge)
- Особенности полевого транзистора: GaNFET (Gallium Nitride)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 23A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 20A, 5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 7nC @ 5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 800pF @ 50V
- Мощность: -
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: Die
- Исполнение корпуса: Die
Цена по запросу